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EU-Förderung (7.797.662 €): Vertikaler GaN auf Silizium: Wide Band Gap Power bei Siliziumkosten Hor01.05.2021 EU-Rahmenprogramm für Forschung und Innovation "Horizont"
Auf einen Blick
Text
Vertikaler GaN auf Silizium: Wide Band Gap Power bei Siliziumkosten
YESvGaN targets a new low-cost wide band gap (WBG) power transistor technology for enabling high-efficiency power electronic systems in the field of electromobility, industrial drives, renewable energies and data centers. In many applications requiring power transistors with high voltage and current rating (600…1200V, ~100A), silicon IGBT technology is nowadays used due to cost considerations accepting its lower efficiency compared to WBG solutions. The main objective of YESvGaN is to demonstrate innovative vertical gallium nitride (GaN) power transistors fabricated on a low-cost substrate such as silicon. This so-called vertical membrane architecture combines the superior performance of GaN as WBG power transistor material with the advantages of a vertical architecture regarding current and voltage robustness at a price competitive to silicon IGBTs. To this end, the entire value chain from substrate, epitaxy, process technology, interconnection technology to application in relevant power electronic systems is addressed. YESvGaN clusters the relevant competences along the value chain in a consortium of large companies, SMEs and institutes from seven European countries.
Geförderte Unternehmen:
| Firmenname | Förderungssumme |
| Hexagem AB | 296.663 € |
| 142.500 € | |
| FINEPOWER GmbH | 109.507 € |
| ROBERT BOSCH GmbH | 611.629 € |
| Lunds Universitet | 196.875 € |
| EV Group E. Thallner GmbH | 299.225 € |
| Universiteit Gent | 191.800 € |
| Smart Induction Converter Technologies SL | 275.222 € |
| SILTRONIC AG | 322.815 € |
| FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG e. V. | 692.030 € |
| Aurel S.p.A. | 129.375 € |
| X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES GmbH | 0,00 € |
| X-FAB MEMS FOUNDRY GmbH | 0,00 € |
| Universitat de Valencia | 154.000 € |
| NANOWIRED GmbH | 168.750 € |
| Universita Degli Studi DI Padova | 0,00 € |
| X-FAB Dresden GmbH & Co. KG | 300.484 € |
| X-FAB GLOBAL SERVICES GmbH | 214.430 € |
| Materials Center Leoben Forschung GmbH | 186.949 € |
| Soitec Belgium N.V. | 375.938 € |
| FERDINAND-BRAUN-INSTITUT gGmbH LEIBNIZ-INSTITUT für HOECHSTFREQUENZTECHNIK | 477.318 € |
| AIXTRON SE | 968.750 € |
| Consorzio Nazionale Interuniversitario Per LA Nanoelettronica | 225.313 € |
| Universite de Lille | 0,00 € |
| Ion Beam Services | 1.180.388 € |
| Centre National de la Recherche Scientifique Cnrs | 277.703 € |
| Universita Degli Studi DI Modena E Reggio Emilia | 0,00 € |
| Stmicroelectronics (Tours) SAS | 0,00 € |
Quelle: https://cordis.europa.eu/project/id/101007229
Diese Bekanntmachung wurde von Englisch nach Deutsch übersetzt. Die Bekanntmachung bezieht sich auf einen vergangenen Zeitpunkt, und spiegelt nicht notwendigerweise den heutigen Stand wider.
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