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Freiberger Compound Materials GmbH, Freiberg

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Freiberger Compound Materials GmbH

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Freiberger Compound Materials GmbH

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Risiko-Report
Freiberger Compound Materials GmbH
Risk Level Evaluation Source
Sanktioniert (?)
Kartellrechtliche Verfahren (?)

Name

Freiberger Compound Materials GmbH

Identifikation

Ut
Amtsgericht Chemnitz HRB 11609
Lei
529900BGVVEGE0RIX131
EUID
DEU1206.HRB11609

Adresse

Am Junger Löwe Schacht 5, D-09599 Freiberg

Gegenstand

C) industrielle Entwicklung, Herstellung und Vertrieb einschließlich des Exports und Imports von elementaren oder zusammengesetzten Reinststoffen für die Elektronik sowie zuge- hörigen technischen Einrich- tungen.

Finanzielle Entwicklung

Mitarbeiter

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Historie

Marketing & Tech

Netzwerk

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Rechtliche Struktur

Aktuelle gesetzliche Vertreter Information zur Rechtsform · Vertretungsregelungen Premium
Premium
1Geschäftsführer
3Prokura
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JOBS BEI NORTH DATA

  • Modern Java Developer
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Premium + Ownership & Flags Add-on
Gesellschafter und Investoren
3 bekannte aktive Anteilseigner
Portfolio
2 bekannte aktive Beteilungen
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Finanzen

Kennzahlen Finanzen · Mktg & Tech Premium
Premium
Stamm-/Grundkapital
Bilanzsumme
Gewinn
Umsatz
Umsatzrendite
Eigenkapital
EK-Quote
EK-Rendite
Mitarbeiterzahl
Umsatz pro Mitarbeiter
Steuern
Steuer-Quote
Kassenbestand
Forderungen
Verbindlichkeiten
Materialaufwand
Personalaufwand
Personalaufwand pro Mitarbeiter
Pensionsrückstellungen
Immobilien und Grundstücke
Gesamtfördersumme
Anzahl Förderungen
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Konzernjahresabschluss
 
Jahresabschlussbericht Interaktive Darstellung über alle Jahre, herunterladbar als CSV/Excel Premium
Premium
Bilanz
für 2024
Gewinn- und Verlustrechnung
für 2024
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Publikationen

20.06.2026
Transparenzregister der Europäischen Union
01.05.2026 in Hor
EU-Förderung (175.000 €): Produktion von Halbleiterrohmaterialien In, Ga, Ge, Sb und As aus europäischen Ressourcen
10.02.2026
Konsolidierter Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2024 · Bilanz zum 31.12.2024 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2024 · Beteiligungen (5 Firmen)
22.01.2026
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2024 · Bilanz zum 31.12.2024 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2024 · Beteiligungen (4 Firmen)
18.09.2025
Patent: Verbesserte dotierte InP-Kristalle
13.06.2025 in Sat
Staatliche Beihilfe (344.734 €): RL EFRE/JTF-Technologieförderung 2021 bis 2027 [SN]
06.06.2025 in Sat
Staatliche Beihilfe (100.000 € - 500.000 €): Deutschland - Evaluierungsplan für das Forschungszulagengesetz
17.04.2025
Patent: Verfahren zur Herstellung eines III-V-Substrats, insbesondere GaAs und InP
10.02.2025
Patent: Verbesserte Dotierte INP-Kristalle
03.01.2025
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2023 · Bilanz zum 31.12.2023 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2023 · Beteiligungen: Freiberger Compound Materials Taiwan Ltd., Freiberger Compound Materials …
Jahr 2024 in Sat
6 Staatliche Beihilfen (insgesamt 3.721.690 €): RL EFRE/JTF-Technologieförderung 2021 bis 2027 [SN] …
Jahr 2024 in Epobase
5 europäische Patentbekanntmachungen: Galliumarsenidsubstrat und Verfahren zur Characterizierung Seiner Oberfläche …
Jahr 2024 in Dpmap
4 Patentanmeldungen: Verfahren zur Herstellung eines semipolaren Gruppe III-Nitrid-Kristalls, Substrat, freistehendes semipolares Substrat und Verwendung der Substrate …
01.10.2024 in Fts
EU-Förderung (248.157 €): 101161109 - Closer - Zirkuläre ROHSTOFFE für die europäische offene strategische Autonomie bei der Produktion von Chips und Mikroelektrronik
01.06.2024 in Fk
Förderung (172.118 €): Technologien für energieeffiziente Indiumphosphid-basierte Hochfrequenzelektronik - Move2THz -
20.05.2024 über Albis Optoelectronics AG
EU-Förderung (688.044 €): Upscaling der nachhaltigen Indiumphosphid (InP)-Plattform und des Ökosystems, um zukünftige (Sub-)THz-Anwendungen für den Massenmarkt zu ermöglichen
08.11.2023
Patent: Vorrichtung zur Herstellung von Aiii-BV-Kristallen und Daraus Hergestellte Substratwafer ohne Restspannung und Versetzungen
27.10.2023
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2022 · Bilanz zum 31.12.2022 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2022 · Beteiligungen: Freiberger Compound Materials Taiwan Ltd., Freiberger Compound Materials …
16.10.2023
Patent: Verfahren zur Herstellung eines III-V-Substrats, insbesondere GaAs und InP
28.02.2023
Prokura: Andreas Villak · Nicht mehr Prokura (1 Person)
20.02.2023
Patent: III-N-Verbindungshalbleiterkristall, sowie Verfahren der Herstellung eines III-N-Verbindungshalbleiterkristalls mit Separationsschicht
20.01.2023
Patent: Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von AIII-BV-Verbindungshalbleiter-Einkristallen sowie AIII-BV-Verbindungshalbleiter-Einkristall und -Wafer
01.01.2023 in Fk
Förderung (1.078.960 €): Digitaler Zwilling zur computerbasierten Durchmesserskalierung der GaN-HVPE-Kristallherstellung (GaN-Digital) - Teilvorhaben: Aufskalierung von HVPE - GaN - Kristallen
01.11.2022 in Fk
Förderung (527.183 €): Nitrid basierte, dispersionsarme, effiziente Millimeterwellenbauelemente für strahlungsfeste Satelliten-Kommunikation Technologie für Übermorgen - Nitrides-4-6G -
26.10.2022 in Fk
Förderung (13,2 Mio. €): GaN-, InP- und GaAs-Substrate mit größeren Durchmessern für zukünftige Mikroelektronik und Kommunikationstechnologie - SuMiCo
01.10.2022
Patent: Verfahren zur Herstellung eines Templats, so hergestelltes Templat, dessen Verwendung, Verfahren zur Herstellung von III-N-Einkristallen, Verfahren zur Herstellung von III-N-Kristallwafern …
30.06.2022
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2021 · Bilanz zum 31.12.2021 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2021
01.06.2022 in Fk
Förderung (836.062 €): HoverGaN - Holistische Entwicklung von vertikalen GaN Transistoren für Betriebsspannungen bis 1.7kV, Teilvorhaben: Entwicklung und Untersuchung von verbesserten …
17.03.2022
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2020 · Bilanz zum 31.12.2020 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2020
30.12.2021
Patent: Verfahren zur Herstellung eines Templats, so hergestelltes Templat, dessen Verwendung, Verfahren zur Herstellung von III-N-Einkristallen, Verfahren zur Herstellung von III-N-Kristallwafern …
08.09.2021
Patent: Geglättete III-N-Substrate
01.06.2021 in Fk
Förderung: Neuartige Leistungselektronik für verbesserte Energieeffizienz - GaN4AP -
21.05.2021 in Hor
EU-Förderung (252.960 €): GaN für erweiterte Energieanwendungen
18.02.2021
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2019 · Bilanz zum 31.12.2019 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2019
10.12.2020
Patent: Verfahren zur Herstellung von Restspannungs- und versetzungsfreien AIII-BV-Substratwafern
22.10.2020
Nicht mehr Prokura: Stefan Schneidewind
03.06.2020
Patent: Aiii-BV-Kristalle und Daraus Hergestellter Substratwafer ohne Restspannung und Versetzungen
13.05.2020
Patent: Verfahren zum Herstellen eines Verbindungshalbleitermaterials Mittels Gasphasenepitaxie
23.03.2020
Prokura: Stefan Schumann
17.03.2020
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2018 · Bilanz zum 31.12.2018 · Gesellschafter: Freiberger Compound Materials Taiwan Ltd., Freiberger Compound Materials U.S.A. Inc
14.02.2020
Patent: Verfahren zum Trennen von Einkristallen
07.01.2020
Geschäftsführer: Michael Harz · Prokura: Stefan Schneidewind · Nicht mehr Geschäftsführer: Stefan Schneidewind · Nicht mehr Prokura: Michael Harz
12.07.2019 in Sat
Staatliche Beihilfe (716.486 €): EFRE - Technologieförderung
07.06.2019
Patent: Verfahren zur Herstellung von Restspannungs- und versetzungsfreien AIII-BV-Substratwafern
29.01.2019
Patent: Verfahren zur Kantenverrundung von Halbleiter-Wafern
17.12.2018
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2017 · Bilanz zum 31.12.2017 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2017
17.12.2018 in Sat
Staatliche Beihilfe (1.137.243 €): EFRE - Technologieförderung
17.12.2018 in Sat
Staatliche Beihilfe (1.182.786 €): EFRE - Technologieförderung
01.09.2018 in Fk
Förderung (202.455 €): UV-LEDs für ultrakurze Wellenlängen um 230 nm auf Basis von AIN-Substraten (AIN-230nm), TP5: Freiberger AlN-Substrate für UVC-LEDs
11.04.2018
Patent: Verfahren zur Herstellung eines Galliumarsenidsubstrats
12.03.2018
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2016 · Bilanz zum 31.12.2016 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2016
31.01.2018
Patent: Verfahren zur Herstellung von III-N-Templaten und deren Weiterverarbeitung, und III-N-Template
10.01.2018
Patent: Verfahren zur Herstellung von III-N-Einkristallen, und III-N-Einkristall
14.12.2017
Patent: Verfahren und Vorrichtung zur Ga-Rückgewinnung
05.09.2017
Nicht mehr Prokura (1 Person)
21.06.2017
Patent: Verfahren zur Herstellung von Poly- oder Multikristallinem Silizium
13.06.2017
Patent: Verfahren und Vorrichtung zur GA-Rückgewinnung
18.04.2017
Prokura (1 Person) · Nicht mehr Prokura (1 Person)
01.03.2017
Patent: Verfahren zum Glätten von III-N-Substraten
05.12.2016
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2015 · Bilanz zum 31.12.2015 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2015
22.09.2016
Patent: Züchtung von A-B Kristallen ohne Kristallgitter-Krümmung
01.09.2016 in Fk
Förderung (832.168 €): Enkrist: Energieeinsparung bei der Herstellung von besseren Karbid- und Nitrid-Halbleiterkristallen
01.07.2016 in Fk
Förderung (124.116 €): r4 - wirtschaftsstrategische Rohstoffe: EcoGaIN - Gewinnung von Gallium aus Produktionsabfällen der Halbleiter-Industrie, TP 2: Ressourcenerfassung, praxisnahe Demonstration …
17.06.2016
Patent: Anordnung und Verfahren zur Herstellung eines Kristalls aus der Schmelze eines Rohmaterials sowie Einkristall
13.06.2016
Patent: Verfahren und Vorrichtung zur Ga-Rückgewinnung
18.03.2016
Patent: Züchtung von A-B Kristallen ohne Kristallgitter-Krümmung
19.01.2016
Wortmarke: »FREIBERGER«
21.12.2015
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2014 · Bilanz zum 31.12.2014 · Beteiligungen: Freiberger Compound Materials Taiwan Ltd., Freiberger Compound Materials U.S.A. Inc
10.12.2015
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2011 · Bilanz zum 31.12.2011 · Beteiligung an: Freiberger Compound Materials U.S.A. Inc
10.12.2015
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2012 · Bilanz zum 31.12.2012 · Beteiligung an: Freiberger Compound Materials U.S.A. Inc
10.12.2015
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2013 · Bilanz zum 31.12.2013 · Beteiligungen: Freiberger Compound Materials Taiwan Ltd., Freiberger Compound Materials U.S.A. Inc
01.12.2015 in Fk
Förderung (1.487.380 €): 'EneRed' - Reduzierung des Gesamtenergieverbrauchs bei der Herstellung von Verbindungshalbleitersubstraten
13.10.2015
Patent: Verfahren zur Herstellung von dotierten Galliumarsenidsubstratwafern mit niedrigem optischen Absorptionskoeffizienten
12.08.2015
Patent: Kristall aus Galliumarsenid
01.08.2015 in Fk
Förderung (71.909 €): AlN-Substrate, TP4: Freiberger AlN-Substrate
16.06.2015
Prokura (1 Person)
01.05.2015 in Hor
EU-Förderung (203.538 €): Verbesserte Substrate und GaN-Pilotlinien ermöglichen kompakte Leistungsanwendungen
01.05.2015 in Fk
Förderung (101.675 €): Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications - PowerBase -, Teilvorhaben: GaN-Substratentwicklung für horizontale Leistungsbauelemente - HorGaN
20.03.2015
Patent: Züchtung von A-B Kristallen ohne Kristallgitter-Krümmung
18.03.2015
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2013 · Bilanz zum 31.12.2013 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2013
07.01.2015
Patent: Vorrichtung und Verfahren zum Verdampfen von Material AUS einer Metallschmelze
Jahr 2014 in Epobase
4 europäische Patentbekanntmachungen: Verfahren zur Herstellung von Dotierten Galliumarsenidsubstratwafern mit Niedrigem Optischen Absorptionskoeffizienten …
Jahr 2014 in Dpmap
4 Patentanmeldungen: Verfahren zur Kantenverrundung von Halbleiter-Wafern …
01.06.2014 in Fk
Förderung (274.098 €): Entwicklung von Zwei-Schicht dotierten GaN-Bulk Substraten und vertikalen Bauelement-Strukturen zum Einsatz in Hoch-Volt Transistoren - ZweiGaN -, Teilvorhaben: Entwicklung von …
12.03.2014
Prokura (1 Person) · Nicht mehr Prokura (1 Person)
20.02.2014
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2012 · Bilanz zum 31.12.2012 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2012
Jahr 2013 in Dpmap
11 Patentanmeldungen: Verfahren zum Herstellen eines Verbindungshalbleiterwerkstoffs, einer III-N-Schicht oder eines III-N-Bulkkristalls, Reaktor zur Herstellung des Verbindungshalbleiterwerkstoffs …
20.11.2013
Patent: Semipolarer Halbleiterkristall und Verfahren zur Herstellung Desselben
30.10.2013
Patent: Verfahren zur Herstellung von III-N-Schichten, Substraten Enthaltend III-N-Schichten und Ihre Verwendung in Halbleiter Vorrichtungen
01.09.2013 in Fk
Förderung (190.914 €): Toxikologische, physikalisch-chemische und gesellschaftliche Erforschung innovativer Materialien und Prozesse der Optoelektronik (TEMPO) - Teilvorhaben: Erforschung des human …
06.03.2013
Patent: Anordnung und Verfahren zur Herstellung eines Kristalls AUS der Schmelze eines Rohmaterials
01.02.2013 in Fk
Förderung (1.034.807 €): GallEff - Verbesserung der Rohstoffeffizienz (Gallium) bei der Herstellung von Galliumarsenid-Substraten und darauf hergestellten InGaAlP-LED's
05.12.2012
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2011 · Bilanz zum 31.12.2011 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2011
Jahr 2012 in Epobase
5 europäische Patentbekanntmachungen: Verfahren, Vorrichtung und Slurry zum Drahtsägen …
Jahr 2012 in Dpmap
4 Patentanmeldungen: Halbleitersubstrat sowie Verfahren und Maskenschicht zur Herstellung eines freistehenden Halbleitersubstrats mittels der Hydrid-Gasphasenepitaxie …
30.01.2012
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2010 · Bilanz zum 31.12.2010 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2010
01.01.2012 in Fk
Förderung (1.299.059 €): Verbund: TeleGaN - Innovativer Einsatz energieeffizienter Materialien im Telekommunikationssektor - Teilvorhaben: Entwicklung von halbisolierendem Galliumnitrid
21.12.2011
Patent: Vorrichtung und Verfahren zum Verdampfen von Material aus einer Metallschmelze
08.12.2011
Prokura: Michael Harz
Jahr 2011 in Epobase
4 europäische Patentbekanntmachungen: Verfahren zur Herstellung einer freistehenden III-N Schicht und dadurch hergestelltes freistehende III-N Substrat …
22.09.2011
Patent: Verfahren zur Herstellung eines semipolaren Gruppe III-Nitrid-Kristalls, Substrat, freistehendes semipolares Substrat und Verwendung der Substrate
19.05.2011
Geschäftsführer: Stefan Schneidewind · Nicht mehr Geschäftsführer (1 Person)
20.01.2011
Nicht mehr Prokura (1 Person)
22.12.2010
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2009 · Bilanz zum 31.12.2009 · Beteiligung an: Freiberger Compound Materials U.S.A. Inc
24.03.2010
Originaldokument: »Liste der Gesellschafter«
22.03.2010
Originaldokument: »Liste der Gesellschafter«
22.03.2010
Originaldokument: »Liste der Gesellschafter«
18.03.2010
Patent: Verfahren zur Herstellung eines semipolaren Gruppe III-Nitrid-Kristalls, Substrat, freistehendes semipolares Substrat und Verwendung der Substrate
09.02.2010
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2008 · Bilanz zum 31.12.2008 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2008
28.01.2010
Patent: Verfahren zur Herstellung von dotierten Galliumarsenidsubstratwafern mit niedrigem optischen Absorptionskoeffizienten
10.11.2009
Anschrift
20.05.2009
Patent: Verfahren zum Trennen von Einkristallen
30.04.2009
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2007 · Bilanz zum 31.12.2007 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2007 · Beteiligung an: Freiberger Compound Materials U. S. A. Inc
14.01.2009
Patent: Verfahren zum selektiven Maskieren von III-N-Schichten und zur Herstellung von selbsttragenden III-N-Schichten oder Bauelementen
Jahr 2008 in Dpmap
5 Patentanmeldungen: Anordnung und Verfahren zur Herstellung eines Kristalls aus der Schmelze eines Rohmaterials sowie Einkristall …
14.11.2008
Patent: Einkristall
23.04.2008
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2006 · Bilanz zum 31.12.2006 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2006 · Beteiligung an: Freiberger Compound Materials U.S.A. Inc
14.02.2008
Patent: Verfahren zur Herstellung von (AL, GA)INN-Kristallen
14.02.2008
Patent: Verfahren zur Herstellung von (AL,GA)N Kristallen
03.01.2008
Nicht mehr Geschäftsführer (1 Person)
21.12.2007
Patent: Polykristalliner oder Multikristalliner Siliciumingot und Verwendung zur Herstellung von Solarzellen
Jahr 2007 in Dpmap
8 Patentanmeldungen: Verfahren zum Trennen von Einkristallen …
22.08.2007
Patent: Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Orientierung einer kristallografischen Ebene relativ zu einer Kristalloberfläche
15.08.2007
Prokura: Stefan Eichler
15.08.2007
Patent: Verfahren und Vorrichtung zum Trennen eines Einkristalls
01.06.2007 in Fk
Förderung (1.711.758 €): 'EcoCrys' - Entwicklung eines energieeffizienten Kristallisationsverfahrens für Halbleiter
18.04.2007
Geschäftsführer (1 Person)
28.11.2006
Patent: Freistehende III-N-Schichten oder Vorrichtungen, die durch selektive Maskierung von III-N-Schichten während des III-N-Schichtenwachstums erhalten werden
07.09.2006
Nicht mehr Geschäftsführer (1 Person)
07.09.2006
Geschäftsführer (1 Person)
21.08.2006
Wortmarke: »FREIBERGER«
01.07.2006 in Fk
Förderung (1.741.331 €): Förderschwerpunkt GaN-Substrate für die Kommunikationstechnik (CrysGaN) - Teilvorhaben: 2'-GaN-HVPE-Substratentwicklung
08.02.2006
Patent: Vorrichtung zum Beheizen von Schmelztiegeln
Jahr 2005 in Dpmap
4 Patentanmeldungen: Halbleitersubstrat sowie Verfahren und Maskenschicht zur Herstellung eines freistehenden Halbleitersubstrats mittels der Hydrid-Gasphasenepitaxie …
01.01.2005 in Fk
Förderung (305.072 €): Zuverlässigkeitsanalytik brillanter Hochleistungs-Diodenlaser in industrierelevanten Betriebsregimen - Teilvorhaben: Substrateinflüsse auf die Zuverlässigkeit von …
09.12.2003
Geschäftsführer (1 Person)
25.09.2003
Ein­tra­gung · GF (1 Person) · ppa (2 Personen) · Kapital: 512.000 € · Fir­men­sitz: Freiberg · Rechts­form: GmbH · Name: Freiberger Compound Materials GmbH · Ver­tre­tungs­re­ge­lung …
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Erwähnungen

30.09.2025 in Ler
Direkte Muttergesellschaft: PPM High Purity Metals GmbH
30.09.2025 in Ler
Ultimativer Eigner: PPM High Purity Metals GmbH
Jahr 2024 in Hrdk
Beteiligungen: PPM High Purity Metals GmbH, PPM High Purity Metals GmbH, PPM Real Estate GmbH, PPM Real Estate GmbH
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