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AIXTRON SE, Herzogenrath

Watch

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Name

AIXTRON SE
AIXTRON AG

Register

Ut
Amtsgericht Aachen HRB 16590
Ut
Amtsgericht Aachen HRB 7002
Sirul
Siren 923791040
Stockp
AIXA.DE
Stockp
AIXXF
Stockp
AIIXY
Sirul
Siret 92379104000010
Lei
5299004UJ4D51M25LD67

Adresse

Dornkaulstr. 2, D-52134 Herzogenrath
Aachen, Deutschland

Gegenstand

Gegenstand des Unternehmens ist die Herstellung und der Vertrieb von Produkten sowie die Forschungs- und Entwicklungs- und Serviceleistungen zur Umsetzung der Semiconductor Technologien sowie auch zur Umsetzung weiterer physikalisch-chemischer Technologien, insbesondere mit dem Warenzeichen AIXTRON. Die Gesellschaft ist berechtigt, alle Geschäfte einzugehen, die geeignet sind, den Geschäftszweck der Gesellschaft mittelbar oder unmittelbar zu fördern …

Weitere Informationen

27.11
Herstellung von Elektromotoren, Generatoren und Transformatoren

Finanzielle Entwicklung

Historie

Gesetzliche Vertreter

Marketing & Tech

Netzwerk

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JOBS BEI NORTH DATA

  • #1 Account Manager
  • Investigator in Residence
  • Modern Java Developer

Publikationen

26.09.2023 auch 22.09.2023, 07.09.2023, 28.08.2023, 24.08.2023, 11.08.2023, 08.08.2023, 04.08.2023, 26.07.2023, 04.07.2023, 30.06.2023, 13.06.2023, 06.06.2023, 01.06.2023, 31.08.2020
Gesellschafter: BlackRock Inc
21.09.2023 auch 14.09.2023, 20.06.2023, 07.06.2023, 23.05.2023, 30.01.2023, 20.12.2019
Gesellschafter: Invesco Ltd
Jahr 2023 in Dp
6 Patentbekanntmachungen: CVD-Vorrichtung sowie Verfahren zum Reinigen einer Prozesskammer einer CVD-Vorrichtung …
08.09.2023 auch 30.06.2023, 16.05.2023, 20.02.2023, 16.02.2023, 03.08.2022, 17.06.2022, 18.03.2022, 20.12.2019, 23.03.2018, 24.10.2017, 21.10.2011
Gesellschafter (1 Person)
19.07.2023 in Frankreich
Ein­tra­gung: 01.08.2023 · Anschrift · Rechts­form: Société étrangère non immatriculée au RCS · Name: AIXTRON SE · Bran­chen­klas­si­fi­ka­ti­on
24.05.2023
Satzung
23.05.2023
Dividendenbekanntmachung
05.05.2023 auch 07.10.2022, 07.09.2022, 11.07.2022, 29.04.2022
Gesellschafter: DWS Investment GmbH
01.05.2023
Förderung (418.722 €): Intelligente GaN-Leistungselektronik für effiziente Energiewandlung - ALL2GaN -
13.04.2023
Jah­res­ab­schluss
05.04.2023
Einladung zur ordentlichen Hauptversammlung
05.04.2023
Einladung zur ordentlichen Hauptversammlung
01.04.2023
Förderung (105.271 €): nanodiag BW: Festkörpernanoporen-Analysator_TV-B (nanodiag_BW_P2)
30.01.2023
Rechtsform: Aufgrund der am 16.05.2012 von der Gesellschafterversammlung beschlossenen bedingten Erhöhung des …
01.01.2023
Förderung (349.615 €): Technologien und Pilotlinien für die heterogene Integration von Kommunikations- und Radarelektronik - HICONNECTS -
31.12.2022
Bilanz zum 31.12.2022 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2022
Jahr 2022 in Dp
20 Patentbekanntmachungen: Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor …
Jahr 2022 in Epobase
2 europäische Patentbekanntmachungen: Vorrichtung zum Beschichten eines Grossflächigen Substrats …
01.09.2022
Förderung (277.269 €): AfreeSSB - Anodenfreie Festkörperbatterien - Von Dünnschicht zu Bulk
14.06.2022
Auf­sichts­rats­lis­te · Satzung
01.06.2022
Förderung (744.058 €): HoverGaN - Holistische Entwicklung von vertikalen GaN Transistoren für Betriebsspannungen bis 1.7kV, Teilvorhaben: Untersuchungen und Anpassungen von CVD-Anlagen und in-situ …
31.05.2022 auch 11.01.2022
Gesellschafter: Ninety One plc
29.03.2022
Konsolidierter Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2021
18.03.2022
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2021
08.03.2022
Satzung
22.02.2022 auch 03.01.2022
Gesellschafter: Société Générale SA
14.02.2022
Aufgrund der am 22.05.2007 von der Gesellschafterversammlung beschlossenen bedingten Erhöhung des Grundkapitals der…
01.01.2022
Förderung (600.169 €): NeuroSys: Memristor Crossbar Architekturen (Projekt A) - D
31.12.2021
Bilanz zum 31.12.2021 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2021
Jahr 2021 in Dp
25 Patentbekanntmachungen: Vorrichtung und Verfahren zum Verdampfen eines organischen Pulvers …
23.12.2021
Gesellschafter: T. Rowe Price Group Inc
01.12.2021
Patent: Einlasssystem für einen Mocvd-Reaktor
Jahr 2021 in Fk
7 staatliche Förderungen (insgesamt 3.439.815 €): Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - …
19.07.2021
Gesellschafter: Artisan Partners Asset Management Inc
02.07.2021
Gesellschafter: T. Rowe Price International Funds Inc
23.06.2021
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2020
09.06.2021
Konsolidierter Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2020
08.06.2021
Konsolidierter Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2020
28.05.2021
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2020
16.05.2021
EU-Förderung (474.750 €): GaN für erweiterte Energieanwendungen
07.05.2021
Vorstand: Christian Danninger
01.05.2021
EU-Förderung (955.500 €): Vertrauenswürdige europäische SiC-Wertschöpfungskette für eine grünere Wirtschaft
01.05.2021
EU-Förderung (968.750 €): Vertikaler GaN auf Silizium: Wide Band Gap Power bei Siliziumkosten
08.04.2021
Nicht mehr Vorstand: Bernd Schulte
12.03.2021
Auf­sichts­rats­lis­te
31.12.2020
Bilanz zum 31.12.2020 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2020
Jahr 2020 in Dp
27 Patentbekanntmachungen: In einem CVD-Reaktor verwendbares flaches Bauteil …
Jahr 2020 in Epobase
4 europäische Patentbekanntmachungen: Gaseinlassorgan eines CVD-Reaktors …
30.10.2020
Vorstand: Joachim Linck
01.10.2020
EU-Förderung (1.450.000 €): Graphen Flaggschiff 2D Experimental Pilot Line
01.09.2020
Förderung (188.046 €): interBATT - Innovative Grenzschichtlösungen und -charakterisierung für Anoden der nächsten Generation
21.08.2020
EU-Förderung (252.788 €): Quantum Semiconductor Technologies nutzt Antimon aus
18.06.2020
Auf­sichts­rats­lis­te
05.06.2020
Auf­sichts­rats­lis­te
29.05.2020
Satzung
28.04.2020
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2019 · Bilanz zum 31.12.2019 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2019 · Beteiligungen (10 Firmen)
11.03.2020
Konsolidierter Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2019 · Bilanz zum 31.12.2019 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2019
18.02.2020
EU-Förderung: Graphen-Flaggschiff-Kernprojekt 3
29.01.2020
Gesellschafter: Baillie Gifford & Co. Ltd
31.12.2019
Bilanz zum 31.12.2019 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2019
Jahr 2019 in Dp
25 Patentbekanntmachungen (24 Patente, 1 Gebrauchsmuster): Abdeckplatte zur Abdeckung der zur Prozesskammer weisenden Seite eines Suszeptors einer Vorrichtung zum Abscheiden von SiC-Schichten …
Jahr 2019 in Epobase
27 europäische Patentbekanntmachungen: Verfahren zum Abscheiden einer Heterostruktur und Nach dem Verfahren Abgeschiedene Heterostruktur …
20.05.2019
Auf­sichts­rats­lis­te
Jahr 2019 in Fk
4 staatliche Förderungen (insgesamt 13,7 Mio. €): Technologien für neuartige Leistungselektronik und Radaranwendungen - UltimateGaN -, Teilvorhaben: MOCVD-Technologie für die Realisierung der …
01.05.2019
EU-Förderung (409.375 €): Forschung für GaN-Technologien, -Geräte, -Pakete und -Anwendungen zur Bewältigung der Herausforderungen der zukünftigen GaN-Roadmap
28.03.2019
Konsolidierter Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2018 · Bilanz zum 31.12.2018 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2018
21.03.2019
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2018 · Bilanz zum 31.12.2018 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2018 · Beteiligungen (10 Firmen)
01.02.2019
Aufgrund der am 22.05.2007 von der Gesellschafterversammlung beschlossenen bedingten Erhöhung des Grundkapitals der…
31.12.2018
Bilanz zum 31.12.2018 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2018
Jahr 2018 in Dp
24 Patentbekanntmachungen (22 Patente, 2 Gebrauchsmuster): Verfahren zum Abscheiden von OLEDs …
Jahr 2018 in Epobase
35 europäische Patentbekanntmachungen: Vorrichtung und Verfahren zur Gewinnung von Informationen über in Einem CVD-Verfahren Abgeschiedene Schichten …
01.11.2018
EU-Förderung (587.500 €): Skyrmion-Topologischer Isolator und Weyl-Halbmetalltechnologie
30.05.2018
Satzung
22.03.2018
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2017 · Bilanz zum 31.12.2017 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2017 · Beteiligungen (9 Firmen)
13.03.2018
Konsolidierter Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2017 · Bilanz zum 31.12.2017 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2017 · Beteiligungen (7 Firmen)
05.03.2018
Satzung
30.01.2018
Aufgrund der am 22.05.2007 von der Gesellschafterversammlung beschlossenen bedingten Erhöhung des Grundkapitals der…
01.01.2018
EU-Förderung: Multiskale Modellierung und Charakterisierung zur Optimierung der Herstellungsprozesse von Materialien und Geräten der organischen Elektronik
31.12.2017
Bilanz zum 31.12.2017 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2017
Jahr 2017 in Dp
9 Patentbekanntmachungen (8 Patente, 1 Gebrauchsmuster): Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden organischer Schichten auf ein oder mehreren Substraten …
Jahr 2017 in Epobase
19 europäische Patentbekanntmachungen: Aerosolverdampfer …
10.11.2017
Wortmarke: STExS
16.10.2017
Nicht mehr Vorstand: Kim Schindelhauer
01.09.2017
Förderung (2.007.235 €): MOCVD4.1 - Optimierte Produktion (MOCVD 4.0) von Verbindungshalbleitern für erhöhte Wirkungsgrade in der Energieversorgung
21.08.2017
Vorstand: Felix Jan Grawert
11.08.2017
EU-Förderung: Intelligente Inline-Messtechnik und -steuerung zur Steigerung der Ertrags- und Qualitätssteigerung der Großserienfertigung von Organischer Elektronik
19.06.2017
Satzung
16.05.2017
Satzung
12.05.2017
Wortmarke: EXP
10.04.2017
EU-Förderung (1.094.934 €): Anwendungsrelevante Validierung von c-Si-basierten Tandem-Solarzellenprozessen mit 30 % Effizienzziel
01.04.2017
Förderung (422.600 €): Next Generation LED technology for LED with 235 lm/W (NextLED) - Teilvorhaben: Technologie für LED-Strukturen hergestellt mit MOCVD der nächsten Generation
10.03.2017
Konsolidierter Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2016 · Bilanz zum 31.12.2016 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2016 · Beteiligungen (11 Firmen)
06.03.2017
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2016 · Bilanz zum 31.12.2016 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2016 · Beteiligungen (14 Firmen)
02.03.2017
Vorstand: Kim Schindelhauer · Nicht mehr Vorstand: Martin Goetzeler
01.03.2017
Förderung (354.329 €): KoReMo - Kostenreduktion und erhöhte Ressourceneffizienz durch neue Versorgungssysteme für Metall-Organische Ausgangsstoffe in der Epitaxie von III-V Hochleistungssolarzellen …
19.02.2017
Wort-/Bildmarke: GENUS
30.01.2017
Aufgrund der am 22.05.2002 von der Gesellschafterversammlung beschlossenen bedingten Erhöhung des Grundkapitals der…
12.01.2017
EU-Förderung (249.216 €): Piezoelektrische Energie-Harvester für selbstfahrende Automobilsensoren: Von fortschrittlichen bleifreien Materialien bis hin zu intelligenten Systemen
31.12.2016
Bilanz zum 31.12.2016 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2016
Jahr 2016 in Dp
33 Patentbekanntmachungen: Fördereinrichtung für ein Substrat …
20.11.2016
Wortmarke: Atomic Level SolutionS
Jahr 2016 in Epobase
9 europäische Patentbekanntmachungen:  …
01.06.2016
Wort-/Bildmarke
31.05.2016
Gesellschafter: Allianz Global Investors GmbH
18.05.2016
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2015
12.04.2016
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2015 · Bilanz zum 31.12.2015 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2015 · Beteiligungen (9 Firmen)
24.03.2016
Konsolidierter Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2015 · Bilanz zum 31.12.2015 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2015 · Beteiligungen (6 Firmen)
27.01.2016
Aufgrund der am 22.05.2002 von der Gesellschafterversammlung beschlossenen bedingten Erhöhung des Grundkapitals der…
19.01.2016
Wortmarke: EOS-XP
31.12.2015
Bilanz zum 31.12.2015 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2015
Jahr 2015 in Epobase
16 europäische Patentbekanntmachungen: Fördervorrichtung …
Jahr 2015 in Dp
36 Patentbekanntmachungen (35 Patente, 1 Gebrauchsmuster): Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden dünner Schichten auf einem Substrat und einer höhenverstellbaren Prozesskammer …
01.09.2015
Förderung (432.765 €): MehrSi: Hocheffiziente III-V Mehrfachsolarzellen auf Silicium 'MOCVD-Technologie für Hocheffiziente III-V-Mehrfachsolarzellen auf Silicium'
Jahr 2015 in Hor
4 EU-Förderungen (insgesamt 2.115.590 €): Donor-Acceptor-Licht, das Exziplexe als Materialien für die einfache Anpassung an ultraeffiziente OLED-Beleuchtung aussendet …
08.06.2015
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2014
03.05.2015
Wortmarke: TriLynx
01.05.2015
Förderung (292.933 €): Graphen für die Anwendung in integrierten Halbleiterschaltkreisen (Graphica)
23.03.2015
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2014 · Bilanz zum 31.12.2014 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2014 · Beteiligungen (9 Firmen)
18.03.2015
Konsolidierter Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2014 · Bilanz zum 31.12.2014 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2014 · Beteiligungen (6 Firmen)
30.01.2015
Aufgrund der am 22.05.2002 von der Gesellschafterversammlung beschlossenen bedingten Erhöhung des Grundkapitals der…
31.12.2014
Bilanz zum 31.12.2014 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2014
Jahr 2014 in Epobase
13 europäische Patentbekanntmachungen: Gaseinlassorgan eines CVD-Reaktors mit Gewichtsverminderter Gasaustrittsplatte …
Jahr 2014 in Dp
16 Patentbekanntmachungen: Fertigungseinrichtung mit einem Magnetschienentransportsystem …
30.06.2014
Anschrift
26.06.2014
Nicht mehr Vorstand: Wolfgang Breme
21.05.2014
Satzung
25.03.2014
Konsolidierter Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2013 · Bilanz zum 31.12.2013 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2013 · Beteiligungen (7 Firmen)
17.03.2014
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2013 · Bilanz zum 31.12.2013 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2013 · Beteiligungen (9 Firmen)
31.01.2014
Aufgrund der am 22.05.2002 von der Gesellschafterversammlung beschlossenen bedingten Erhöhung des Grundkapitals der…
31.12.2013
Bilanz zum 31.12.2013 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2013
Jahr 2013 in Epobase
6 europäische Patentbekanntmachungen: Gasmischvorrichtung …
Jahr 2013 in Dp
11 Patentbekanntmachungen: Carousel-Reactor …
24.10.2013
Kapital: 112,2 Mio. €
02.08.2013
Satzung
26.05.2013
Wortmarke: TriClean
21.03.2013
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2012 · Bilanz zum 31.12.2012 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2012 · Beteiligungen (9 Firmen)
21.03.2013
Konsolidierter Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2012 · Bilanz zum 31.12.2012 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2012 · Beteiligungen (9 Firmen)
20.03.2013
Vorstand: Martin Goetzeler · Nicht mehr Vorstand (1 Person)
04.03.2013
Auf­sichts­rats­lis­te
12.02.2013
Kapital: 102 Mio. €
31.12.2012
Bilanz zum 31.12.2012 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2012
Jahr 2012 in Dp
9 Patentbekanntmachungen: Aufdampfungsmaterialquelle und Herstellungsverfahren Dafür …
09.12.2012
Wortmarke: EpiTune
15.11.2012
Wortmarke: PVPD
Jahr 2012 in Epobase
12 europäische Patentbekanntmachungen: CVD-Reaktor bzw. Substrathalter für einen CVD-Reaktor …
01.08.2012
Förderung (815.000 €): Kosteneffiziente OLED-Bauelemente für Anwendungen im Lichtmarkt (KOBALT) - Teilvorhaben: Flexible OVPD-OLEDs mit hohen Leistungsdaten und langer Lebensdauer
01.06.2012
Wan­del­schuld­ver­schrei­bung · Satzung
22.03.2012
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2011 · Bilanz zum 31.12.2011 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2011 · Beteiligungen (10 Firmen)
22.03.2012
Konsolidierter Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2011 · Bilanz zum 31.12.2011 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2011 · Beteiligungen (7 Firmen)
09.03.2012
Satzung
10.02.2012
Kapital: 101,8 Mio. €
01.01.2012
Förderung (756.710 €): Verbund: TeleGaN - Innovativer Einsatz energieeffizienter Materialien im Telekommunikationssektor - Teilvorhaben: Hydrid-VPE für SI GaN-Substrate mit >= 2-Zoll Durchmesser
31.12.2011
Bilanz zum 31.12.2011 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2011
Jahr 2011 in Dp
15 Patentbekanntmachungen: Vorrichtung und Verfahren zum Be- und Entladen, insbesondere einer Beschichtungseinrichtung …
Jahr 2011 in Epobase
12 europäische Patentbekanntmachungen: CVD-Reaktor mit Einem Gaseinlassorgan …
10.06.2011
Die Hauptversammlung vom 19.05.2011 hat die Änderung der Satzung in § 4 (Grundkapital), § 11 (Aufsichtsrat…
18.03.2011
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2010 · Bilanz zum 31.12.2010 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2010 · Beteiligungen (9 Firmen)
18.03.2011
Konsolidierter Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2010 · Bilanz zum 31.12.2010 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2010 · Beteiligungen (6 Firmen)
28.02.2011
Kapital: 2.002,00 €
04.02.2011
Das in der Hauptversammlung vom 22.05.2002 beschlossene bedingte Kapital (§ 4 Absatz 2.5 der Satzung - Bedingtes …
12.01.2011 als Aixtron AG
Patent: Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden Kristalliner Schichten Wahlweise Mittels Mocvd oder Hvpe
31.12.2010
Bilanz zum 31.12.2010 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2010
Jahr 2010 in Epobase
7 europäische Patentbekanntmachungen: Verfahren zum Abscheiden von Schichten in Einem CVD-Reaktor sowie Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor …
27.12.2010
Vorstand (3 Personen) · Formwechsel: AIXTRON AG · Anschrift · Un­ter­neh­mens­ge­gen­stand · Zweig­nie­der­las­sung
27.12.2010 als AIXTRON AG
Formwechsel: AIXTRON SE
27.12.2010 als AIXTRON AG
Formwechsel: AIXTRON SE · Rechts­form: SE
Jahr 2010 in Dp
6 Patentbekanntmachungen: Verfahren zum Einrichten eines Epitaxie-Reaktors …
18.10.2010 als AIXTRON AG
Nach Änderung der Vertretungsbefugnis ist das Vorstandsmitglied Breme, Wolfgang nunmehr befugt, im Namen der…
18.06.2010 als AIXTRON AG
Satzung
01.06.2010
Förderung (186.592 €): European Equipment & Materials Initiative (EEMI450) - Teilvorhaben: Erforschung der physikalisch/chemischen Grundlagen für die Abscheidung von Mehrkomponenten Materialien auf …
01.05.2010
Förderung (946.500 €): Neuartige Leistungs-Bauelemente mit hoher Energieeffizienz und Wirtschaftlichkeit auf Basis von Verbindungshalbleitern mit großer Bandlücke (NeuLand) - Teilvorhaben …
07.04.2010 als AIXTRON AG
Zum Handelsregister ist ein Umwandlungsplan vom 23.03.2010 über die geplante Umwandlung der AIXTRON Aktiengesellschaft…
25.03.2010 als AIXTRON AG
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2009 · Bilanz zum 31.12.2009 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2009 · Beteiligungen (8 Firmen)
25.03.2010 als AIXTRON AG
Konsolidierter Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2009 · Bilanz zum 31.12.2009 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2009 · Beteiligungen (5 Firmen)
12.02.2010 als AIXTRON AG
Kapital: 2.002,00 € · Satzung
31.12.2009
Bilanz zum 31.12.2009 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2009
Jahr 2009 in Dp
6 Patentbekanntmachungen: Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden Dünner Schichten AUS Polymeren Para-Xylylene oder Substituiertem Para-Xylylene …
02.11.2009 als AIXTRON AG
Aufgrund der durch Beschluss der Hauptversammlung vom 18.05.2005 (geändert durch Beschluss vom 14.05.2008) erteilten…
Jahr 2009 in Epobase
5 europäische Patentbekanntmachungen: Vorrichtung und Verfahren zur Chemischen Gasphasenabscheidung mit Hohem Durchsatz …
01.07.2009
Förderung (1.060.850 €): Forschung und Demonstratoren hinsichtlich Spezialbeleuchtungs- und Signage-Anwendungen basierend auf OLED-Lichttechnologie (So-Light) - Teilvorhaben: Organic Vapour Phase …
08.06.2009 als AIXTRON AG
Anschrift · Fir­men­sitz: Herzogenrath
27.03.2009 als AIXTRON AG
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2008 · Bilanz zum 31.12.2008 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2008 · Beteiligungen (9 Firmen)
25.03.2009 als AIXTRON AG
Konsolidierter Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2008 · Bilanz zum 31.12.2008 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2008 · Beteiligungen (6 Firmen)
01.03.2009
Förderung (2.333.906 €): Tausend Lumen organische Phosphoreszenzbauelemente für Anwendungen in Lichtsystemen (TOPAS) - Teilvorhaben: Organic Vapour Phase Deposition (OVPD) als Prozesstechnologie für …
30.01.2009 als AIXTRON AG
Vorstand: Wolfgang Breme · Kapital: 2.002,00 € · Satzung
31.12.2008
Bilanz zum 31.12.2008 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2008
Jahr 2008 in Dp
13 Patentbekanntmachungen: Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden von dotierten Schichten mittels OVPD oder dergleichen …
11.11.2008 als AIXTRON AG
Jah­res­ab­schluss
03.11.2008
Gesellschafter: Jürgensen, Dr. Holger
16.09.2008 als Aixtron AG
Wortmarke: NANOINSTRUMENTS
01.09.2008
Förderung (1.132.000 €): Materialien für extrem hohe integrierte Kapazitäten (MaxCaps) - Teilprojekt: CVD/AVD-Verfahren für neuartige Oxide
06.08.2008 als Aixtron AG
Patent: Hydrid VPE Reaktor und Verfahren
01.08.2008
Förderung (1.896.457 €): DEvice & Clrcuit performance boosted through Sllicon material Fabrication (DECISIF) - Teilvorhaben: CVD/AVD Anlagen- und Prozesstechnologie für CMOS Anwendungen
04.07.2008 als AIXTRON AG
Die Hauptversammlung vom 14.05.2008 hat beschlossen, die bisher auf den Inhaber lautenden Stückaktien der Gesellschaft…
01.07.2008
Förderung (297.080 €): GaAs und GaN basierte Quantenpunkt-Halbleiteremitter und optimierte Nachweiselektroniken für Systemuntersuchungen zu Quantenkryptographie-Übertragungsprotokollen (QPENS) …
09.04.2008 als AIXTRON AG
Konsolidierter Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2007 · Bilanz zum 31.12.2007 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2007 · Beteiligungen (5 Firmen)
04.04.2008 als AIXTRON AG
Jah­res­ab­schluss · Beteiligungen (10 Firmen)
Jahr 2008 in Euipotm
3 Wortmarken: AIXACT, HeteroWafer, OVPD
02.04.2008 als Aixtron AG
Patent: AUS Einem Tragkörper und Darauf Gasgelagerten und Drehangetriebenen Substrathalter Bestehende Anordnung
14.03.2008 als AIXTRON AG
Wan­del­schuld­ver­schrei­bung · Satzung
31.12.2007
Bilanz zum 31.12.2007 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2007
Jahr 2007 in Dp
11 Patentbekanntmachungen: Verfahren zum selbstlimitierenden Abscheiden ein oder mehrerer Monolagen …
07.12.2007 als AIXTRON AG
Nicht mehr Vorstand (1 Person)
Jahr 2007 in Epobase
6 europäische Patentbekanntmachungen: Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleiterschichten …
20.07.2007 als AIXTRON AG
Auf­sichts­rats­lis­te
13.07.2007 als AIXTRON AG
Satzung
18.06.2007 als AIXTRON AG
Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2006 · Bilanz zum 31.12.2006 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2006 · Beteiligungen (9 Firmen)
18.06.2007 als AIXTRON AG
Konsolidierter Jah­res­ab­schluss zum 31.12.2006 · Bilanz zum 31.12.2006 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2006 · Beteiligungen (9 Firmen)
31.12.2006
Bilanz zum 31.12.2006 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2006
20.11.2006
Patent: CVD-Reaktor mit Auswechselbarer Prozesskammerdecke
Jahr 2006 in Dp
10 Patentbekanntmachungen: Halbleiterbehandlungsvorrichtung zur Durchführung eines RTP Verfahrens …
Jahr 2006 in Epobase
6 europäische Patentbekanntmachungen: CVD-Vorrichtung mit Differenziert Temperiertem Substrathalter …
01.07.2006
Förderung (889.539 €): Förderschwerpunkt GaN-Substrate für die Kommunikationstechnik (CrysGaN) - Teilvorhaben: Hydrid-VPE für verbesserte GaN-Substrate
30.05.2006 als AIXTRON AG
Satzung
30.05.2006 als AIXTRON AG
Satzung
18.05.2006
Satzung
01.03.2006
Förderung (1.671.200 €): Organische Phosphoreszenzleuchten für Anwendungen im Lichtmarkt (OPAL) - Teilvorhaben: Organic vapour Phase Deposition (OVPD) als Prozesstechnologie für die Herstellung …
31.12.2005
Bilanz zum 31.12.2005 · Gewinn- und Ver­lust­rech­nung zum 31.12.2005
Jahr 2005 in Epobase
9 europäische Patentbekanntmachungen: Vorrichtung zum Verdampfen von Kondensierten Stoffen …
Jahr 2005 in Dp
8 Patentbekanntmachungen: CVD-Reaktor mit Prozesskammerhöhenstabilisierung …
14.09.2005
Wortmarke: HeteroWafer
19.08.2005 als AIXTRON AG
Vorstand (1 Person)
09.08.2005
Vorstand (1 Person)
01.08.2005
Förderung (372.776 €): Tausend-Lumen-Weiss-LED - Teilvorhaben: In-Situ Monitoring für die MOCVD von AlGaInN Strukturen mit hohen Quanteneffizienzen auf 4 Zoll Substraten
05.07.2005
Wortmarke: OVPD
17.06.2005 als AIXTRON AG
Wan­del­schuld­ver­schrei­bung · Satzung
20.05.2005 als AIXTRON AG
Nicht mehr Vorstand (3 Personen)
08.04.2005 als AIXTRON AG
Vorstand: Wolfgang Breme
18.03.2005 als AIXTRON AG
Vorstand (1 Person) · Kapital: 89,00 €
01.03.2005
Förderung (972.374 €): Neue Pufferschichten mit MOCVD-Verfahren für CIS-Solarmodule (NePuMOC)
18.01.2005 als AIXTRON AG
Vorstand (1 Person) · Satzung
07.01.2005 als AIXTRON AG
Vorstand (1 Person) · Satzung
25.05.2004
Satzung
19.05.2003
Vorstand (1 Person)
31.01.2003
Kapital: 64,8 Mio. € · Wan­del­schuld­ver­schrei­bung
17.12.2002
Personen
09.08.2002
Satzung
11.06.2002
Satzung
03.06.2002
Nicht mehr Vorstand (2 Personen) · Satzung
27.05.2002 als AIXTRON AG
Ein­tra­gung · Kapital: 64,8 Mio. € · Fir­men­sitz: Aachen · Rechts­form: AG · Name: AIXTRON AG · Un­ter­neh­mens­ge­gen­stand

Erwähnungen

01.04.2021 über Aixtron Ltd.
Beteiligung an: Thomas Swan Scientific Equipment Ltd
29.03.2021 über Apeva Holdings Ltd.
Beteiligung an, Stimmberechtigter, Beneficial Owner: Apeva Holdings Ltd
21.01.2021 über Aixinno Ltd.
Beteiligung an, Stimmberechtigter, Beneficial Owner: Aixinno Ltd

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